Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2308BDS-T1-E3

RS Stock No.:: 180-7752
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI2308BDS-T1-E3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2308BDS-T1-E3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB310.28

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB332.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

กำลังจะเลิกผลิต

1,820 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 740	THB15.514	THB310.28
760 - 1480	THB15.126	THB302.52
1500 +	THB14.893	THB297.86

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7752
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI2308BDS-T1-E3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.192Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	2.3nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.66W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.04mm
	Standards/Approvals	IEC 61249-2-21
	Width	2.64 mm
	Height	1.12mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series TrenchFET
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.192Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.3nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.66W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.04mm
	Standards/Approvals IEC 61249-2-21
	Width 2.64 mm
	Height 1.12mm
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 60V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 156mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power rating of 1.66W and continuous drain current of 2.3A. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 4.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Battery Switch

• DC/DC Converter

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested

• UIS tested