Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 2.3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2308CES-T1_GE3

RS Stock No.:: 180-7396
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQ2308CES-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 2.3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2308CES-T1_GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB32,502.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB34,776.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

9,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
3000 - 3000	THB10.834	THB32,502.00	-
6000 - 9000	THB10.509	THB31,527.00	2%
12000 +	THB10.194	THB30,582.00	5%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7396
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQ2308CES-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOT-23
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	164mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.5nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	2.64mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.12mm
	Length	3.04mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOT-23
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 164mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.5nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 2.64mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.12mm
	Length 3.04mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 60V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 150mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 2W and continuous drain current of 2.3A. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 4.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• TrenchFET power MOSFET

• Typical ESD performance 1500V

Applications

• Adaptor switch

• DC/DC converter

• Load switch

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested

• UIS tested