Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET, 5.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB50,800.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB54,350.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 5,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB20.32THB50,800.00
5000 - 7500THB19.711THB49,277.50
10000 +THB19.119THB47,797.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
180-7298
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI4900DY-T1-E3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.058Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

3.1W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

4.8mm

Height

1.35mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Width

4 mm

Automotive Standard

No

The Vishay Siliconix SI4900DY series TrenchFET dual N channel power MOSFET has drain to source voltage of 60 V. It is used in LCD TV and CCFL inverter.

Pb-free

Halogen free

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง