Vishay SI8818EDB Type N-Channel Single MOSFETs, 2.2 A, 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB8.42

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB9.01

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน
ต่อม้วน
1 - 24THB8.42
25 - 99THB7.43
100 - 499THB6.93
500 - 999THB5.94
1000 +THB5.45

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
653-091
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI8818EDB-T2-E1
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

2.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SI8818EDB

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.143Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

0.9W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±12 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

0.8mm

Height

0.39mm

Standards/Approvals

No

Width

0.8 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for ultra-compact, high-efficiency switching in space-constrained systems. It supports up to 30 V drain-source voltage. Packaged in MICRO FOOT 0.8 mm x 0.8 mm, it utilizes TrenchFET technology to deliver low RDS(on), fast switching, and excellent thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง