Vishay SI8818EDB Type N-Channel Single MOSFETs, 2.2 A, 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- RS Stock No.:
- 653-091
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI8818EDB-T2-E1
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB8.42
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB9.01
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 24 | THB8.42 |
| 25 - 99 | THB7.43 |
| 100 - 499 | THB6.93 |
| 500 - 999 | THB5.94 |
| 1000 + | THB5.45 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 653-091
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI8818EDB-T2-E1
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | SI8818EDB | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.143Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.9W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±12 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 0.8mm | |
| Height | 0.39mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 0.8 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series SI8818EDB | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.143Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.4nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.9W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±12 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 0.8mm | ||
Height 0.39mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 0.8 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for ultra-compact, high-efficiency switching in space-constrained systems. It supports up to 30 V drain-source voltage. Packaged in MICRO FOOT 0.8 mm x 0.8 mm, it utilizes TrenchFET technology to deliver low RDS(on), fast switching, and excellent thermal performance.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SI8818EDB Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SI8818EDB-T2-E1
- Vishay SQJ190 Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SIJ4406DP Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJQ140ER Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJQ114EL Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SIJ4406DP Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SIJ4406DP-T1-GE3
- Vishay SIHM080N60E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJ190 Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJ190ELP-T1_GE3
