Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 16 A, 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT SI8483DB-T2-E1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
180-7326
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI8483DB-T2-E1
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

16A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Package Type

MICRO FOOT

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

26mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

13W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

1.5mm

Height

590μm

Width

1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay Siliconix Si8483DB series TrenchFET dual N channel power MOSFET has drain to source voltage of 12 V. It is maximum power dissipation of 13 W and mainly used in load switch in portable devices.

Low voltage drop

Low power consumption

Increased battery life

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง