Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 16 A, 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT
- RS Stock No.:
- 180-7326
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI8483DB-T2-E1
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB28,755.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB30,768.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB9.585 | THB28,755.00 |
| 6000 - 9000 | THB9.383 | THB28,149.00 |
| 12000 + | THB9.102 | THB27,306.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-7326
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI8483DB-T2-E1
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 12V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | MICRO FOOT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 26mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 13W | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 1.5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1 mm | |
| Height | 0.59mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 12V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type MICRO FOOT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 26mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 13W | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 1.5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1 mm | ||
Height 0.59mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay Siliconix Si8483DB series TrenchFET dual N channel power MOSFET has drain to source voltage of 12 V. It is maximum power dissipation of 13 W and mainly used in load switch in portable devices.
Low voltage drop
Low power consumption
Increased battery life
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 6-Pin MICRO FOOT SI8483DB-T2-E1
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 8 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT
- Vishay Si8489EDB Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 8 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8802DB-T2-E1
- Vishay Type N-Channel MOSFET 8 V, 6-Pin MICRO FOOT
- Vishay Si8489EDB Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 4-Pin MICRO FOOT SI8489EDB-T2-E1
- Vishay Type N-Channel MOSFET 8 V, 6-Pin MICRO FOOT SI8416DB-T2-E1
- Vishay Type N-Channel MOSFET 20 V, 4-Pin MICRO FOOT