Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 12 A, 12 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SIA447DJ-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
165-6977
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIA447DJ-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-70

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

71mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-8V, +8V

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

52nC

Maximum Power Dissipation Pd

19W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

1.7mm

Standards/Approvals

No

Width

1.7mm

Height

800μm

Automotive Standard

No

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง