Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET, 5.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4900DY-T1-E3
- RS Stock No.:
- 180-8002
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI4900DY-T1-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB320.15
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB342.56
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 6,990 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 620 | THB32.015 | THB320.15 |
| 630 - 1240 | THB31.215 | THB312.15 |
| 1250 + | THB30.734 | THB307.34 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-8002
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI4900DY-T1-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.058Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 4.8mm | |
| Height | 1.35mm | |
| Width | 4 mm | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.058Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 4.8mm | ||
Height 1.35mm | ||
Width 4 mm | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21 | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Siliconix SI4900DY series TrenchFET dual N channel power MOSFET has drain to source voltage of 60 V. It is used in LCD TV and CCFL inverter.
Pb-free
Halogen free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2308BDS-T1-E3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4124DY-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type P 5.3 A 8-Pin SO-8
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type P 5.3 A 8-Pin SO-8 SI4559ADY-T1-E3
- Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212