Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 9.5 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8

RS Stock No.:: 180-7296
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4896DY-T1-E3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 9.5 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB122,972.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB131,580.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB49.189	THB122,972.50
5000 - 7500	THB47.713	THB119,282.50
10000 +	THB46.282	THB115,705.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7296
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI4896DY-T1-E3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	9.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	22mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.56W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	34nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.75mm
	Width	6.2 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	5mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 9.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Series TrenchFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.56W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.75mm
	Width 6.2 mm
	Standards/Approvals No
	Length 5mm
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 80V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 16.5mohm at a gate-source voltage of 10V. It has power dissipation of 1.56W and continuous drain current of 6.7A. The minimum and a maximum driving voltage for this MOSFET is 6V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Adaptor switch

• Load switches

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21