Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3.1 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2301CDS-T1-E3
- RS Stock No.:
- 180-7719
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2301CDS-T1-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB210.65
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB225.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 325 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | THB8.426 | THB210.65 |
| 750 - 1475 | THB8.216 | THB205.40 |
| 1500 + | THB8.09 | THB202.25 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-7719
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2301CDS-T1-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 112mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.12mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.04mm | |
| Width | 2.64 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 112mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.12mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.04mm | ||
Width 2.64 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 20V and a maximum gate-source voltage of 8V. It has drain-source resistance of 112mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has continuous drain current of 3.1A and maximum power dissipation of 1.6W. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 2.5V and 4.5V respectively. It has application in load switches for portable devices. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Certifications
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2301CDS Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2301CDS-T1-GE3
- Vishay Si2301CDS Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23