Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiDR392DP-T1-GE3

RS Stock No.:: 178-3934
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiDR392DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiDR392DP-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB422.46

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB452.03

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,820 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 745	THB84.492	THB422.46
750 - 1495	THB82.378	THB411.89
1500 +	THB81.112	THB405.56

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3934
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiDR392DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay Siliconix
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SO-8
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	900μΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	6 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	125nC
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	1.07mm
	Length	5.99mm
	Width	5 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay Siliconix
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SO-8
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 900μΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 6 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 125nC
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 1.07mm
	Length 5.99mm
	Width 5 mm
	Automotive Standard No

Datasheet

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

COO (Country of Origin):: TW

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiDR392DP-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง