N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay Siliconix SiS110DN-T1-GE3

RS Stock No.:: 178-3962
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiS110DN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay Siliconix

N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay Siliconix SiS110DN-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 25)

THB19.101

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB20.438

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

2 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
25 - 725	THB19.101	THB477.525
750 - 1475	THB18.623	THB465.575
1500 +	THB18.337	THB458.425

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3962
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiS110DN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay Siliconix

Datasheet

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	14.2 A
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Package Type	PowerPAK 1212-8
Series	TrenchFET
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	70 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Power Dissipation	24 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	±20 V
Number of Elements per Chip	1
Width	3.15mm
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	8.5 nC @ 10 V
Length	3.15mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Forward Diode Voltage	1.2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.07mm

N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay Siliconix SiS110DN-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง