N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8DC Vishay Siliconix SiDR392DP-T1-GE3

RS Stock No.:: 178-3670
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiDR392DP-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay Siliconix

N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8DC Vishay Siliconix SiDR392DP-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (On a Reel of 3000)**

THB46.937

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB50.223

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ขออภัย เราไม่สามารถตรวจสอบสต็อคสินค้าได้ในเวลานี้ โปรดรีเฟรชเพจอีกครั้ง

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อม้วน**
3000 - 3000	THB46.937	THB140,811.00
6000 - 9000	THB45.529	THB136,587.00
12000 +	THB44.163	THB132,489.00

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3670
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiDR392DP-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay Siliconix

Datasheet

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	100 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Series	TrenchFET
Package Type	PowerPAK SO-8DC
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	900 μΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	125 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	+20 V, +6 V
Number of Elements per Chip	1
Width	5mm
Transistor Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs	125 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Forward Diode Voltage	1.1V
Height	1.07mm

N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8DC Vishay Siliconix SiDR392DP-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง