Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR188DP-T1-RE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
178-3687
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiR188DP-T1-RE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.99mm

Standards/Approvals

No

Width

5mm

Height

1.07mm

Automotive Standard

No

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง