Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 14.4 A, 250 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si7190ADP-T1-RE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
178-3665
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
Si7190ADP-T1-RE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

14.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

110mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.9nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5mm

Length

5.99mm

Standards/Approvals

No

Height

1.07mm

Automotive Standard

No

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® power MOSFET

Low thermal resistance PowerPAK® package

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง