Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJA76EP-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 178-3916
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJA76EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay Siliconix
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB367.49
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB393.21
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | THB36.749 | THB367.49 |
| 750 - 1490 | THB35.829 | THB358.29 |
| 1500 + | THB35.278 | THB352.78 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-3916
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJA76EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay Siliconix
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 75A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 66W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 66nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 5 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.07mm | |
| Length | 5.99mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 75A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 66W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 66nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 5 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.07mm | ||
Length 5.99mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น
- COO (Country of Origin):
- CN
TrenchFET® power MOSFET
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ872EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2364EES-T1_GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TO-263
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
