Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 150 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TO-263

RS Stock No.:: 178-3725
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQM40022EM_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 150 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*

THB41,258.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB44,146.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

800 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
800 - 800	THB51.573	THB41,258.40
1600 - 2400	THB50.451	THB40,360.80
3200 +	THB49.33	THB39,464.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3725
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQM40022EM_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay Siliconix
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	150A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TO-263
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	150W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	106nC
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	4.83 mm
	Length	10.67mm
	Height	11.3mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay Siliconix
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 150A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TO-263
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 150W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 106nC
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 4.83 mm
	Length 10.67mm
	Height 11.3mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

COO (Country of Origin):: TW

TrenchFET® power MOSFET

Package with low thermal resistance

Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 150 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TO-263

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง