Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 4-Pin PowerPak SO-8L Dual Vishay Siliconix SQJ504EP-T1_GE3

RS Stock No.:: 178-3720
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQJ504EP-T1_GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay Siliconix

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 4-Pin PowerPak SO-8L Dual Vishay Siliconix SQJ504EP-T1_GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (On a Reel of 3000)

THB23.779

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB25.444

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

2990 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อม้วน**
3000 - 3000	THB23.779	THB71,337.00
6000 - 9000	THB23.065	THB69,195.00
12000 +	THB22.373	THB67,119.00

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3720
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQJ504EP-T1_GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay Siliconix

Datasheet

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N, P
Maximum Continuous Drain Current	30 A
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Package Type	PowerPak SO-8L Dual
Series	TrenchFET
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	4
Maximum Drain Source Resistance	30 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage	1.5V
Maximum Power Dissipation	34 W, 34 W
Maximum Gate Source Voltage	±20 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Transistor Material	Si
Length	5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs	18 (N Channel) nC @ 10 V, 56 (P Channel) nC @ 10 V
Number of Elements per Chip	2
Width	5mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.07mm
Automotive Standard	AEC-Q101
Forward Diode Voltage	1.2V

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 4-Pin PowerPak SO-8L Dual Vishay Siliconix SQJ504EP-T1_GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง