Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay Siliconix SQS944ENW-T1_GE3

RS Stock No.:: 178-3956
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQS944ENW-T1_GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay Siliconix

Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay Siliconix SQS944ENW-T1_GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 25)**

THB31.142

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB33.322

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

2975 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
25 - 725	THB31.142	THB778.55
750 - 1475	THB30.364	THB759.10
1500 +	THB29.897	THB747.425

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3956
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQS944ENW-T1_GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay Siliconix

Datasheet

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	6 A
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Package Type	PowerPAK 1212-8
Series	TrenchFET
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	40 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage	1.5V
Maximum Power Dissipation	27.8 W
Maximum Gate Source Voltage	±20 V
Width	3.15mm
Length	3.15mm
Number of Elements per Chip	2
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	11.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Automotive Standard	AEC-Q101
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.07mm
Forward Diode Voltage	1.1V

Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay Siliconix SQS944ENW-T1_GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง