Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay Siliconix SQS944ENW-T1_GE3

RS Stock No.:: 178-3956
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQS944ENW-T1_GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay Siliconix

Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay Siliconix SQS944ENW-T1_GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 25)

THB26.743

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB28.615

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

2975 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
25 - 725	THB26.743	THB668.575
750 - 1475	THB26.075	THB651.875
1500 +	THB25.674	THB641.85

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3956
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQS944ENW-T1_GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay Siliconix

Datasheet

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	6 A
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Package Type	PowerPAK 1212-8
Series	TrenchFET
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	40 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage	1.5V
Maximum Power Dissipation	27.8 W
Maximum Gate Source Voltage	±20 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Number of Elements per Chip	2
Typical Gate Charge @ Vgs	11.5 nC @ 10 V
Length	3.15mm
Transistor Material	Si
Width	3.15mm
Height	1.07mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Automotive Standard	AEC-Q101
Forward Diode Voltage	1.1V

Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay Siliconix SQS944ENW-T1_GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง