Dual N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 Vishay Siliconix SiZ350DT-T1-GE3

RS Stock No.:: 178-3944
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiZ350DT-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay Siliconix

Dual N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 Vishay Siliconix SiZ350DT-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 10)**

THB29.772

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB31.856

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

2880 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
10 - 740	THB29.772	THB297.72
750 - 1490	THB29.027	THB290.27
1500 +	THB28.581	THB285.81

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3944
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiZ350DT-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay Siliconix

Datasheet

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	30 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Package Type	PowerPAIR 3 x 3
Series	TrenchFET
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	9 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Gate Threshold Voltage	2.4V
Maximum Power Dissipation	16.7 W
Maximum Gate Source Voltage	-12 V, +16 V
Length	3mm
Typical Gate Charge @ Vgs	13.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Number of Elements per Chip	2
Width	3mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	0.75mm
Forward Diode Voltage	1.2V

Dual N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 Vishay Siliconix SiZ350DT-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง