Vishay Isolated TrenchFET 2 N-Channel MOSFET, 8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4920EY-T1_GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
170-8297
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQ4920EY-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOIC

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

17.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.7nC

Maximum Power Dissipation Pd

4.4W

Forward Voltage Vf

750mV

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Isolated

Width

4mm

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Height

1.5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง