Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB40,457.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB43,290.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB16.183THB40,457.50
5000 - 7500THB15.697THB39,242.50
10000 +THB15.226THB38,065.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
919-4202
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI4925DDY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOIC

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

41mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Length

5mm

Width

4 mm

Height

1.5mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง