Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- RS Stock No.:
- 919-4202
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI4925DDY-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB40,457.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB43,290.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB16.183 | THB40,457.50 |
| 5000 - 7500 | THB15.697 | THB39,242.50 |
| 10000 + | THB15.226 | THB38,065.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 919-4202
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI4925DDY-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOIC | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 41mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 32nC | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Length | 5mm | |
| Width | 4 mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOIC | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 41mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 32nC | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Length 5mm | ||
Width 4 mm | ||
Height 1.5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4925DDY-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N 8 A 8-Pin SOIC
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 8 A 8-Pin SOIC
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N 8 A 8-Pin SOIC SI4564DY-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 5.3 A 8-Pin SOIC
