Infineon IPD600N25N3 G Type N-Channel MOSFET, 25 A, 250 V Enhancement, 5-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 170-2288
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD600N25N3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB125,220.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB133,985.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 7,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB50.088 | THB125,220.00 |
| 5000 - 7500 | THB48.585 | THB121,462.50 |
| 10000 + | THB47.128 | THB117,820.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 170-2288
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD600N25N3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Series | IPD600N25N3 G | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 136W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.41mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Width | 7.47 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Series IPD600N25N3 G | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 136W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.41mm | ||
Length 6.73mm | ||
Width 7.47 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IPD600N25N3 G is 250V OptiMOS products are performance leading Benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives.
Industries lowest R DS(on)
Lowest Q g and Q gd
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD600N25N3 G Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 5-Pin TO-252 IPD600N25N3GATMA1
- Infineon IPD25CN10N G Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin TO-252
- Infineon IPD25CN10N G Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin TO-252 IPD25CN10NGATMA1
- Infineon IPD200N15N3 G Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 5-Pin TO-252
- Infineon IPD053N08N3 G Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin TO-252
- Infineon IPD068N10N3 G Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin TO-252
- Infineon IPD200N15N3 G Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 5-Pin TO-252 IPD200N15N3GATMA1
- Infineon IPD053N08N3 G Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin TO-252 IPD053N08N3GATMA1