Infineon IPD600N25N3 G Type N-Channel MOSFET, 25 A, 250 V Enhancement, 5-Pin TO-252 IPD600N25N3GATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB784.04

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB838.92

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 20 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 8,530 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 31 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 620THB78.404THB784.04
630 - 1240THB76.445THB764.45
1250 +THB75.268THB752.68

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
171-1948
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD600N25N3GATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Package Type

TO-252

Series

IPD600N25N3 G

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Power Dissipation Pd

136W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Height

2.41mm

Automotive Standard

No

Infineon IPD600N25N3 G Series MOSFET, 250V Maximum Drain Source Voltage, 25A Maximum Continuous Drain Current - IPD600N25N3GATMA1


This MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for power switching and conversion tasks in compact surface-mounted assemblies. It operates across a wide temperature range and is intended for applications requiring robust drain-source voltage handling and moderate continuous current capability while maintaining efficient switching behaviour.

Features and Benefits:


• 250V drain-source rating enables high-voltage switching applications
• 60 mΩ RDS(on) reduces conduction losses for improved efficiency
• 25A continuous drain current supports sustained load operation
• 22 nC typical gate charge allows effective switching control
• 0.9V forward voltage minimises diode conduction losses
• 136W maximum power dissipation permits high-power handling

Applications


• Suitable for DC-DC converter power stages
• Ideal for motor-drive inverter switches
• Used with switch-mode power supplies for primary switching
• Can be used for battery-management and power distribution
• Suitable for high-voltage relay and solenoid drivers

What thermal environment can it tolerate during operation?


It is rated to function from -55 °C up to 175 °C, allowing use in both cold-start and elevated-temperature installations.

How is it intended to be mounted on assemblies?


The device is provided in a TO-252 package configured for surface-mount installation to ease integration on compact boards.

What gate-drive limitations should be observed?


Gate-source voltage must not exceed 20V to prevent gate overstress, so gate drivers should be chosen accordingly.

How many electrical connections are available for circuit layout?


The component presents five pins, offering multiple connection points for drain, source, gate and mounting considerations.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง