Infineon IPD600N25N3 G Type N-Channel MOSFET, 25 A, 250 V Enhancement, 5-Pin TO-252 IPD600N25N3GATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB784.04

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB838.92

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 30 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 8,770 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 620THB78.404THB784.04
630 - 1240THB76.445THB764.45
1250 +THB75.268THB752.68

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
171-1948
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD600N25N3GATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

IPD600N25N3 G

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

136W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Height

2.41mm

Width

7.47 mm

Automotive Standard

No

The Infineon IPD600N25N3 G is 250V OptiMOS products are performance leading Benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives.

Industries lowest R DS(on)

Lowest Q g and Q gd

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง