Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET, 25 A, 250 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC600N25NS3GATMA1
- RS Stock No.:
- 178-7486
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC600N25NS3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (5000 ชิ้น, ในม้วนขนาด 5000)*
THB323,865.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB346,535.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB64.773 | THB323,865.00 |
| 10000 - 15000 | THB62.83 | THB314,150.00 |
| 20000 + | THB60.945 | THB304,725.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-7486
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC600N25NS3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | OptiMOS 3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 5.35mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.1mm | |
| Length | 6.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Package Type TDSON | ||
Series OptiMOS 3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 5.35mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.1mm | ||
Length 6.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น
Infineon OptiMOS 3 Series MOSFET, 250V Drain Source Voltage, 25A Continuous Drain Current - BSC600N25NS3GATMA1
Features and Benefits:
• 25A continuous current supports substantial load handling
• 60mΩ Rds(on) reduces conduction losses during operation
• 22nC typical gate charge enables responsive switching performance
• 125W maximum power dissipation allows elevated thermal loading
Applications
• Ideal for synchronous rectification in power supplies
• Used with motor‑drive stages requiring 25A handling
• Can be used for switch‑mode power supplies with tight footprints
• Appropriate for industrial switching circuits exposed to temperature extremes
What gate voltage limits should be observed during design?
How does the channel type affect circuit topology choices?
What thermal environment can it tolerate during operation?
Which package mounting considerations are recommended?
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC600N25NS3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin TDSON
