Infineon IPD200N15N3 G N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V Enhancement, 5-Pin TO-252 IPD200N15N3GATMA1

RS Stock No.:: 170-2287
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD200N15N3GATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD200N15N3 G N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V Enhancement, 5-Pin TO-252 IPD200N15N3GATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB102,037.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB109,180.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB40.815	THB102,037.50
5000 - 7500	THB39.59	THB98,975.00
10000 +	THB38.402	THB96,005.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 170-2287
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD200N15N3GATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Package Type	TO-252
	Series	IPD200N15N3 G
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	20mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	150W
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	23nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	10.36mm
	Width	9.45mm
	Height	4.57mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Package Type TO-252
	Series IPD200N15N3 G
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 20mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 150W
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 10.36mm
	Width 9.45mm
	Height 4.57mm
	Automotive Standard No

The Infineon IPD200N15N3 G is 150V OptiMOS achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS part.

Excellent switching performance

Worlds lowest R DS(on)

Infineon IPD200N15N3 G N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V Enhancement, 5-Pin TO-252 IPD200N15N3GATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง