Infineon IPD053N08N3 G N-Channel MOSFET, 90 A, 80 V Enhancement, 5-Pin TO-252 IPD053N08N3GATMA1

RS Stock No.:: 171-1937
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD053N08N3GATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD053N08N3 G N-Channel MOSFET, 90 A, 80 V Enhancement, 5-Pin TO-252 IPD053N08N3GATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 630 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB537.39

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB487.70

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB521.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

8,480 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
10 - 620	THB48.77	THB487.70	-
630 - 1240	THB47.917	THB479.17	THB537.39
1250 +	THB47.038	THB470.38	THB2,165.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 171-1937
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD053N08N3GATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	90A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	TO-252
	Series	IPD053N08N3 G
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	9.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	150W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	52nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	2.41mm
	Length	6.73mm
	Width	7.36mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 90A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type TO-252
	Series IPD053N08N3 G
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 9.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 150W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 2.41mm
	Length 6.73mm
	Width 7.36mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

IPD053N08N3 Datasheet

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

Infineon MOSFET

The Infineon TO-252-3 surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 5.3mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has continuous drain current of 90A. It has a maximum gate-source voltage of 20V and drain-source voltage of 80V. It has a maximum power dissipation of 150W. The MOSFET has a minimum and a maximum driving voltage of 6V and 10V respectively. It has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET tackles the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. It is designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Dual sided cooling

• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)

• Lead (Pb) free plating

• Low parasitic inductance

• Low profile (<0, 7mm)

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• Optimized technology for DC-DC converters

• Superior thermal resistance

Applications

• AC-DC

• Adapter

• DC-DC

• LED

• Motor control

• PC power

• Server power supplies

• SMPS

• Solar

• Telecommunication

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC61249-2-21

• JEDEC