Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 4.1 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML6246TRPBF

RS Stock No.:: 737-7221
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-45-317
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLML6246TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 4.1 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML6246TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB125.72

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB134.52

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

520 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 2,040 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 18 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 740	THB6.286	THB125.72
760 - 1480	THB6.129	THB122.58
1500 +	THB6.034	THB120.68

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 737-7221
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-45-317
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLML6246TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	HEXFET
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	66mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.5nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.3W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	1.4mm
	Length	3.04mm
	Height	1.02mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series HEXFET
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 66mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.5nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.3W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 1.4mm
	Length 3.04mm
	Height 1.02mm
	Automotive Standard No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 20V Maximum Drain Source Voltage, 4.1A Maximum Continuous Drain Current - IRLML6246TRPBF

This MOSFET is a compact N‑channel enhancement device designed for low-voltage switching in surface-mount assemblies. It operates across a wide temperature range and accepts gate-drive levels compatible with common control circuits. The package and electrical characteristics make it appropriate for space‑constrained boards requiring efficient switching performance without elevated power‑handling requirements.

Features and Benefits:

• Maximum drain-source voltage 20V enables low-voltage switching applications
• Continuous drain current 4.1A supports moderate load currents
• Low on‑resistance 66 mΩ minimises conduction losses
• Typical gate charge 3.5 nC allows faster switching transitions
• Maximum power dissipation 1.3W suits constrained thermal budgets
• Gate-source tolerance up to 12V permits robust drive margins

Applications

• Suitable for battery-management switching in portable systems
• Ideal for load switching in power-distribution modules
• Used with gate drivers in motor-control low-voltage stages
• Can be used for DC-DC converter synchronous switching
• Suitable for signal-level high-speed switching in control circuits

What thermal extremes can this device tolerate in operation?

It is specified to operate from -55 °C up to 150 °C, allowing use in environments with wide temperature fluctuations.

How does the package influence PCB layout and assembly?

The SOT‑23 surface‑mount format with three pins reduces board area and supports automated pick‑and‑place and reflow processes.

What is the expected behaviour under higher gate voltages?

The device limits gate‑source ratings to 12V maximum, so gate drives should remain within this threshold to prevent gate‑oxide stress.

How does the device perform under continuous load?

Continuous drain current is rated at 4.1A while thermal dissipation is constrained to 1.3 W, so adequate copper area or heatsinking is required to maintain safe junction temperatures.