Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 21 mA, 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS127H6327XTSA2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB291.35

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB311.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 725THB11.654THB291.35
750 - 1475THB11.421THB285.53
1500 +THB11.193THB279.83

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
753-2832
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSS127H6327XTSA2
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

SOT-23

Series

SIPMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

600Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.82V

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.65nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1mm

Standards/Approvals

No

Length

2.9mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS Series MOSFET, 600V Drain Source Voltage, 21mA Continuous Drain Current - BSS127H6327XTSA2


This MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for surface-mount switching in compact electronic systems. It operates across a wide temperature range for demanding environments and is suitable for applications requiring a rugged, small-footprint device with controlled gate-drive characteristics.

Features and Benefits:


• 600V drain-to-source withstand delivers high-voltage switching capability
• 0.65 nC typical gate charge enables faster, lower-loss switching
• 600 Ω maximum RDS(on) reduces off-state leakage in high-voltage circuits
• 21 mA continuous drain current suits low-current control functions
• 500 mW maximum power dissipation manages thermal loading in compact layouts
• VGS rated to 20V allows compatibility with common gate-drive voltages

Applications


• Suitable for high-voltage power-conversion topologies
• Ideal for automotive-grade sensor and auxiliary circuits
• Used with compact switching regulators and flyback stages
• Can be used for gate-level signal translation in protection circuits
• Suitable for small-form-factor power-management modules

What package and mounting style does it use for PCB assembly?


It is supplied in a SOT-23 package intended for surface-mount placement and reflow soldering.

What thermal extremes can it withstand during operation?


The device is specified to operate between -55 °C and 150 °C, supporting wide thermal excursions in harsh environments.

How many electrical connections are available for circuit integration?


The component uses a three-pin configuration compatible with typical discrete MOSFET layouts.

Is the device qualified for automotive applications?


It meets the AEC-Q101 standard, indicating suitability for automotive electronic use.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง