Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 21 mA, 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS127H6327XTSA2

RS Stock No.:: 753-2832
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS127H6327XTSA2
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 21 mA, 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS127H6327XTSA2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB291.35

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB311.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 725	THB11.654	THB291.35
750 - 1475	THB11.421	THB285.53
1500 +	THB11.193	THB279.83

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 753-2832
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS127H6327XTSA2
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	21mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	SIPMOS
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	600Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.82V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.65nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	500mW
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	1mm
	Width	1.3 mm
	Length	2.9mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 21mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series SIPMOS
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 600Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.82V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.65nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 500mW
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 1mm
	Width 1.3 mm
	Length 2.9mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 21 mA, 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS127H6327XTSA2

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง