Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA06DP-T1-GE3

ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
165-7074
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIRA06DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-16V, +20V

Forward Voltage Vf

730mV

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Width

5.26mm

Height

1.12mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง