Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB209,754.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB224,436.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB69.918THB209,754.00
6000 - 9000THB67.821THB203,463.00
12000 +THB65.786THB197,358.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
919-4246
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIRA00DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.35mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

147nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.26 mm

Height

1.12mm

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง