Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 N-Channel MOSFET, 870 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 PMGD280UN,115
- RS Stock No.:
- 166-0609
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PMGD280UN,115
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB11,910.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB12,750.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB3.97 | THB11,910.00 |
| 6000 - 9000 | THB3.851 | THB11,553.00 |
| 12000 + | THB3.735 | THB11,205.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 166-0609
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PMGD280UN,115
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 870mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | Trench MOSFET | |
| Package Type | SC-88 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 340mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 830mV | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -8V, +8V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 400mW | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.89nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 2.2mm | |
| Height | 1mm | |
| Width | 1.35mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 870mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series Trench MOSFET | ||
Package Type SC-88 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 340mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 830mV | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -8V, +8V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 400mW | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.89nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 2.2mm | ||
Height 1mm | ||
Width 1.35mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Dual N-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 N-Channel MOSFET 20 V Enhancement115
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 N-Channel MOSFET 20 V Enhancement115
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 N-Channel MOSFET 30 V Enhancement115
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement115
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement115
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type P-Channel MOSFET 50 V Enhancement115
- Infineon Isolated OptiMOS 2 2 N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Infineon Isolated OptiMOS 2 2 N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 BSD235NH6327XTSA1