Vishay IRFR420 Type N-Channel Power MOSFET, 2.4 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR420TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB379.88

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB406.47

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,420 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 490THB37.988THB379.88
500 - 990THB37.039THB370.39
1000 +THB36.469THB364.69

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
710-4657
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFR420TRPBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Package Type

TO-252

Series

IRFR420

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19nC

Maximum Power Dissipation Pd

42W

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Length

6.73mm

Height

2.39mm

Width

6.22mm

Automotive Standard

No

Vishay IRFR420 Series Power MOSFET, 500V Maximum Drain Source Voltage, 42W Maximum Power Dissipation - IRFR420TRPBF


This power MOSFET is a high-voltage N-channel enhancement device designed for switching and power-management roles in industrial and electronic equipment. It operates across a broad temperature range for demanding environments and is supplied in a compact surface-mount package suited to board-level assemblies.

Features and Benefits:


• 500V maximum drain-source voltage for high-voltage switching capability
• 3Ω Rds(on) enabling predictable conduction losses
• 2.4A continuous drain current for steady-state load handling
• 19nC gate charge supporting efficient switching transitions
• 42W maximum power dissipation for thermal performance budgeting
• 20V gate-source rating to accommodate strong gate-drive margins

Applications


• Suitable for high-voltage switch-mode power supplies
• Ideal for industrial motor-control front ends
• Used with isolated DC-DC converters in power systems
• Can be used for lamp and heater switching circuits
• Appropriate for rugged electronics operating at extreme temperatures

What mounting method should be used for reliable operation?


The package is a TO-252 surface-mount type, so standard SMT reflow processes and compatible land patterns are appropriate for PCB assembly.

What thermal limits must designers consider during layout?


The device dissipates up to 42W

copper area, thermal vias and adequate heat-sinking on the PCB are required to manage junction temperature within limits.

How does gate-drive choice affect switching performance?


A drive capable of approaching the 20V gate-source limit provides faster turn-on while the 19nC gate charge figure helps estimate required drive current and switching losses.

What environmental extremes can it endure?


It is specified to operate from -55°C to 150°C, allowing use in applications with wide ambient and junction temperature swings.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง