Vishay IRFR420 N-Channel Power MOSFET, 2.4 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR420TRPBF
- RS Stock No.:
- 710-4657
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR420TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB379.88
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB406.47
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,390 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 21 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 490 | THB37.988 | THB379.88 |
| 500 - 990 | THB37.039 | THB370.39 |
| 1000 + | THB36.469 | THB364.69 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 710-4657
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFR420TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Series | IRFR420 | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 42W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.39mm | |
| Width | 6.22mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Standards/Approvals | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Series IRFR420 | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 42W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.39mm | ||
Width 6.22mm | ||
Length 6.73mm | ||
Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Automotive Standard No | ||
Vishay IRFR420 Series Power MOSFET, 500V Maximum Drain Source Voltage, 42W Maximum Power Dissipation - IRFR420TRPBF
This power MOSFET is a high-voltage N-channel enhancement device designed for switching and power-management roles in industrial and electronic equipment. It operates across a broad temperature range for demanding environments and is supplied in a compact surface-mount package suited to board-level assemblies.
Features and Benefits:
• 500V maximum drain-source voltage for high-voltage switching capability
• 3Ω Rds(on) enabling predictable conduction losses
• 2.4A continuous drain current for steady-state load handling
• 19nC gate charge supporting efficient switching transitions
• 42W maximum power dissipation for thermal performance budgeting
• 20V gate-source rating to accommodate strong gate-drive margins
• 3Ω Rds(on) enabling predictable conduction losses
• 2.4A continuous drain current for steady-state load handling
• 19nC gate charge supporting efficient switching transitions
• 42W maximum power dissipation for thermal performance budgeting
• 20V gate-source rating to accommodate strong gate-drive margins
Applications
• Suitable for high-voltage switch-mode power supplies
• Ideal for industrial motor-control front ends
• Used with isolated DC-DC converters in power systems
• Can be used for lamp and heater switching circuits
• Appropriate for rugged electronics operating at extreme temperatures
• Ideal for industrial motor-control front ends
• Used with isolated DC-DC converters in power systems
• Can be used for lamp and heater switching circuits
• Appropriate for rugged electronics operating at extreme temperatures
What mounting method should be used for reliable operation?
The package is a TO-252 surface-mount type, so standard SMT reflow processes and compatible land patterns are appropriate for PCB assembly.
What thermal limits must designers consider during layout?
The device dissipates up to 42W
copper area, thermal vias and adequate heat-sinking on the PCB are required to manage junction temperature within limits.
How does gate-drive choice affect switching performance?
A drive capable of approaching the 20V gate-source limit provides faster turn-on while the 19nC gate charge figure helps estimate required drive current and switching losses.
What environmental extremes can it endure?
It is specified to operate from -55°C to 150°C, allowing use in applications with wide ambient and junction temperature swings.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay IRFR420 N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR420TRPBF
- Vishay IRFU420 N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU420PBF
- Vishay D Series N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD3N50D-GE3
- Vishay IRF820 N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF820PBF
- IXYS Polar3 N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-264 IXFK98N50P3
- STMicroelectronics SuperMESH N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP11NK50Z
- IXYS Polar3 N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin PLUS247 IXFX98N50P3
- IXYS Polar3 N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-264
