STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel Power MOSFET, 5 A, 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK (TO-251) STU7NM60N
- RS Stock No.:
- 761-0247
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STU7NM60N
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB441.12
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB472.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 15 | THB88.224 | THB441.12 |
| 20 - 35 | THB86.016 | THB430.08 |
| 40 + | THB84.692 | THB423.46 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 761-0247
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STU7NM60N
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | MDmesh | |
| Package Type | IPAK (TO-251) | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.9Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 45W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.6mm | |
| Standards/Approvals | ECOPACK | |
| Width | 2.4 mm | |
| Height | 6.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series MDmesh | ||
Package Type IPAK (TO-251) | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.9Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 45W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.6mm | ||
Standards/Approvals ECOPACK | ||
Width 2.4 mm | ||
Height 6.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel Power MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK (TO-251)
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STF7NM60N
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD7NM60N
- Vishay Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin IPAK (TO-251)
- Vishay IRFU Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin IPAK (TO-251)
- Vishay Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin IPAK (TO-251) IRLU110PBF
