Vishay IRFU1N60A Type N-Channel Power MOSFET, 1.4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU1N60APBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*

THB2,405.55

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,573.925

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 525 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
75 - 75THB32.074THB2,405.55
150 - 225THB31.111THB2,333.33
300 +THB30.178THB2,263.35

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
145-1664
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFU1N60APBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

IPAK

Series

IRFU1N60A

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Power Dissipation Pd

36W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

6.73mm

Width

2.39mm

Height

6.22mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY

Vishay IRFU1N60A Series Power MOSFET, 600V Drain-Source Voltage, 36W Power Dissipation - IRFU1N60APBF


This power MOSFET is a high-voltage N-channel switching device designed for power conversion and control tasks in industrial electronic systems. It is suitable for through-hole board assembly and offers conservative operating limits for demanding environments where high voltage and thermal endurance are required.

Features and Benefits:


• 600V drain rating enables operation in high-voltage circuits
• 1.4 A continuous drain current permits light to moderate load handling
• 7 Ω RDS(on) provides predictable conduction characteristics
• 14 nC typical gate charge supports lower switching losses
• 36W power dissipation allows sustained power handling at elevated temperatures
• 150 °C maximum junction temperature supports high-temperature operation

Applications


• Suitable for switch-mode power supplies in industrial automation equipment
• Ideal for high-voltage power transistor roles in motor-control interfaces
• Used for auxiliary power conversion in electrical distribution modules
• Can be used for signal switching in instrumentation requiring through-hole parts

What gate-drive considerations should I allow for?


Drive circuitry should accommodate a maximum gate-source rating of 30V and provide sufficient drive current to charge the 14 nC gate for the intended switching speed.

How does the package affect mounting and thermal handling?


The three-pin IPAK through-hole package facilitates robust soldered connections and a mounting style that can aid heat transfer to a copper plane or heatsink arrangement.

What ambient temperature range is supported for deployment?


The device operates across a temperature span from -55 °C to a maximum of 150 °C

thermal management is required to keep the junction temperature below the limit.

Are there any environmental or regulatory attributes to note?


The component meets RoHS criteria for restricted substances and is not specified as meeting automotive standards.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง