Infineon Dual HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET, 8.1 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRL6372TRPBF

RS Stock No.:: 130-1013
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRL6372TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Dual HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET, 8.1 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRL6372TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB604.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB647.125

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

15,200 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 975	THB24.192	THB604.80
1000 - 1975	THB23.588	THB589.70
2000 +	THB23.225	THB580.63

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 130-1013
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRL6372TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	8.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	HEXFET
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	23mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	11nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12 V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	4 mm
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.5mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No
	Distrelec Product Id	304-36-992

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 8.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series HEXFET
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 23mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 4 mm
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.5mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No
	Distrelec Product Id 304-36-992

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon Dual HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET, 8.1 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRL6372TRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง