Infineon Dual HEXFET 2 N-Channel MOSFET, 5.1 A, 55 V Enhancement, 8-Pin SO-8

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
223-8452
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
AUIRF7341QTR
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

500mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

No

Height

1.5mm

Width

4mm

Length

5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon HEXFET power MOSFET in a dual SO-8 package utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. The efficient SO-8 package provides enhanced thermal characteristics and dual MOSFET die capability making it ideal in a variety of power applications.

Advanced planar technology

Dynamic dV/dT rating

Logic level gate drive

175°C operating temperature

Fast switching

Lead free

RoHS compliant

Automotive qualified

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง