Infineon Dual N Channel Mosfet HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 55 V Enhancement, 8-Pin SO-8

RS Stock No.:: 217-2601
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7341GTRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Dual N Channel Mosfet HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 55 V Enhancement, 8-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB118,924.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB127,248.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
4000 - 4000	THB29.731	THB118,924.00
8000 - 12000	THB28.839	THB115,356.00
16000 +	THB27.974	THB111,896.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 217-2601
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7341GTRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Series	HEXFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	65mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	29nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	2.4W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Transistor Configuration	Dual N Channel Mosfet
	Height	1.5mm
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Series HEXFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 2.4W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Transistor Configuration Dual N Channel Mosfet
	Height 1.5mm
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Width 4 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF7341GTRPBF

The Infineon HEXFET ® Power MOSFET’s in a Dual SO-8 package utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of these HEXFET Power MOSFET’s are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These benefits combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of other applications. The 175°C rating for the SO-8 package provides improved thermal performance with increased safe operating area and dual MOSFET die capability make it ideal in a variety of power applications. This dual, surface mount SO-8 can dramatically reduce board space and is also available in Tape & Reel.

Advanced Process Technology

Dual N-Channel MOSFET

Ultra Low On-Resistance

175°C Operating Temperature

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Lead-Free

Infineon Dual N Channel Mosfet HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 55 V Enhancement, 8-Pin SO-8

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง