Infineon Dual HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET, 9.1 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

RS Stock No.:: 168-5975
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7907TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Dual HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET, 9.1 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB68,428.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB73,216.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

4,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
4000 - 4000	THB17.107	THB68,428.00
8000 - 12000	THB16.594	THB66,376.00
16000 +	THB16.096	THB64,384.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 168-5975
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7907TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	9.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	HEXFET
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	20.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	14nC
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Width	4 mm
	Height	1.5mm
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 9.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series HEXFET
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 20.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Width 4 mm
	Height 1.5mm
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon Dual HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET, 9.1 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง