Infineon Dual HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET, 5.1 A, 55 V Enhancement, 8-Pin SO-8 AUIRF7341QTR
- RS Stock No.:
- 223-8453
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF7341QTR
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB733.86
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB785.23
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 15,320 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB73.386 | THB733.86 |
| 20 - 90 | THB71.552 | THB715.52 |
| 100 - 240 | THB69.763 | THB697.63 |
| 250 - 490 | THB68.019 | THB680.19 |
| 500 + | THB66.318 | THB663.18 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 223-8453
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF7341QTR
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 500mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 3 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 29nC | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.5mm | |
| Width | 4 mm | |
| Length | 5mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 500mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 3 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29nC | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.5mm | ||
Width 4 mm | ||
Length 5mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon HEXFET power MOSFET in a dual SO-8 package utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. The efficient SO-8 package provides enhanced thermal characteristics and dual MOSFET die capability making it ideal in a variety of power applications.
Advanced planar technology
Dynamic dV/dT rating
Logic level gate drive
175°C operating temperature
Fast switching
Lead free
RoHS compliant
Automotive qualified
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Dual HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon Dual N Channel Mosfet HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon Dual N Channel Mosfet HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7341GTRPBF
- Infineon Dual HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon Dual HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Infineon Dual HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Infineon Dual HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7907TRPBF
- Infineon Dual HEXFET 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRL6372TRPBF