Infineon Isolated HEXFET 2 N-Channel MOSFET, 4.9 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7303TRPBF
- RS Stock No.:
- 165-5931
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7303TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB53,436.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB57,176.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | THB13.359 | THB53,436.00 |
| 8000 - 12000 | THB12.959 | THB51,836.00 |
| 16000 + | THB12.57 | THB50,280.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-5931
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7303TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOIC | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 80mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 5mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Width | 4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOIC | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.7nC | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 5mm | ||
Height 1.5mm | ||
Width 4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 4.9A Maximum Continuous Drain Current, 2W Maximum Power Dissipation - IRF7303TRPBF
Features & Benefits
Applications
What is the maximum gate-source voltage for this device?
How does the Rds(on) Value affect efficiency?
Can it operate at extreme temperatures?
What type of circuit boards is this compatible with?
How should one approach the installation of this component?
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Isolated HEXFET 2 N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7303TRPBF
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7316TRPBF
- Infineon Isolated HEXFET 2 N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7103TRPBF
- Infineon Isolated HEXFET 2 N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7380TRPBF
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type N 4 A 8-Pin SOIC IRF7309TRPBF
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type N 2.7 A 8-Pin MSOP IRF7509TRPBF
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type P 3.5 A 8-Pin SOIC IRF7105TRPBF
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type P 7.3 A 8-Pin SOIC IRF7389TRPBF
