Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R1K4P7ATMA1
- RS Stock No.:
- 130-0906
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD80R1K4P7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB121.32
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB129.81
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,425 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 620 | THB24.264 | THB121.32 |
| 625 - 1245 | THB23.66 | THB118.30 |
| 1250 + | THB23.296 | THB116.48 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 130-0906
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD80R1K4P7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | CoolMOS P7 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 32W | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.22 mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 2.41mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series CoolMOS P7 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 32W | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.22 mm | ||
Length 6.73mm | ||
Height 2.41mm | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon CoolMOS™P7 Power MOSFET
The 800V CoolMOS P7 Power MOSFET family establishes even higher efficiency and thermal performance. Suitable applications are power adapters, LED lighting, audio, industrial and auxiliary power.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R600P7ATMA1
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R750P7ATMA1
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R3K3P7ATMA1
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 950 V Enhancement, 3-Pin TO-252