Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 51.4 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR876BDP-T1-RE3

RS Stock No.:: 228-2912
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiR876BDP-T1-RE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 51.4 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR876BDP-T1-RE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB353.33

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB378.06

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

21,720 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 40	THB35.333	THB353.33
50 - 90	THB34.449	THB344.49
100 - 240	THB33.588	THB335.88
250 - 990	THB32.748	THB327.48
1000 +	THB31.929	THB319.29

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	51.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	42.7nC
	Maximum Power Dissipation Pd	71.4W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 51.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series TrenchFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42.7nC
	Maximum Power Dissipation Pd 71.4W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 51.4 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR876BDP-T1-RE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง