Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 373 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8SW SIRS4600EPW-T1-RE3

N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB213.87

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB228.84

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 20 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB213.87
10 - 49THB132.68
50 - 99THB102.48
100 +THB69.31

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-219
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIRS4600EPW-T1-RE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

373A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8SW

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0013Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

333W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

108nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.95mm

Length

6.1mm

Width

5.1 mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง