Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 126 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR510DP-T1-RE3
- RS Stock No.:
- 228-2904
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiR510DP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB317.66
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB339.895
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 5,260 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB63.532 | THB317.66 |
| 50 - 95 | THB61.942 | THB309.71 |
| 100 - 245 | THB60.392 | THB301.96 |
| 250 - 995 | THB58.882 | THB294.41 |
| 1000 + | THB57.412 | THB287.06 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 228-2904
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiR510DP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 126A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 126A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay TrenchFET N-channel is 100 V MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 45 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8