Vishay SQ P-Channel MOSFET, -2.8 A, -60 V P, 3-Pin SOT-23 SQ2361CEES-T1_NE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB12.83

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB13.73

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 24THB12.83
25 - 99THB8.55
100 - 499THB5.23
500 +THB4.75

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
878-891
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQ2361CEES-T1_NE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

P-Channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-2.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-60V

Series

SQ

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.23Ω

Channel Mode

P

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

2.64mm

Height

1.12mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.04mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
GB
The Vishay automotive-grade P-Channel MOSFET providing reliable, high-efficiency switching capabilities under harsh conditions. Designed for performance, it operates at a maximum drain-source voltage of 60V and a continuous drain current of 2.8A.

TrenchFET technology ensures optimal switching efficiency

Qualifies for AEC-Q101, suitable for automotive applications

Withstands continuous drain currents of up to 2.8A

Designed for low on-state resistance, reducing power loss

Offers excellent ESD protection, rated at 800V

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง