Vishay SQ P-Channel MOSFET, -48 A, -80 V P, 3-Pin TO-252 SQD50P08-28_NE3
- RS Stock No.:
- 878-894
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQD50P08-28_NE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 10 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB389.70
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB111.68
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB119.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 14 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ม้วน | ต่อม้วน | การประหยัด |
|---|---|---|
| 1 - 9 | THB111.68 | - |
| 10 - 24 | THB72.71 | THB389.70 |
| 25 - 99 | THB43.25 | THB1,710.75 |
| 100 - 499 | THB41.82 | THB6,986.00 |
| 500 + | THB40.87 | THB35,405.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 878-894
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQD50P08-28_NE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -48A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -80V | |
| Series | SQ | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.028Ω | |
| Channel Mode | P | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 136W | |
| Forward Voltage Vf | -1.5V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 95nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 6.73mm | |
| Height | 2.38mm | |
| Length | 6.22mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type P-Channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -48A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -80V | ||
Series SQ | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.028Ω | ||
Channel Mode P | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 136W | ||
Forward Voltage Vf -1.5V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 95nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 6.73mm | ||
Height 2.38mm | ||
Length 6.22mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- GB
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQ P-Channel MOSFET -60 V P, 3-Pin TO-252 SQD19P06-60L_NE3
- Vishay SQ P-Channel MOSFET -100 V P, 3-Pin TO-252 SQD40P10-40L_NE3
- Vishay SQ P-Channel MOSFET -60 V P, 3-Pin SOT-23 SQ2309CES-T1_NE3
- Vishay SQ P-Channel MOSFET -60 V P, 3-Pin SOT-23 SQ2361CEES-T1_NE3
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD45P03-12_GE3
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD19P06-60L_GE3
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3419EV-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4401EY-T1-GE3