Vishay SQ P-Channel MOSFET, -48 A, -80 V P, 3-Pin TO-252 SQD50P08-28_NE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น, ในเทปขนาด 1)*

THB111.68

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB119.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 9THB111.68
10 - 24THB72.71
25 - 99THB43.25
100 - 499THB41.82
500 +THB40.87

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
878-894
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQD50P08-28_NE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

P-Channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-48A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-80V

Package Type

TO-252

Series

SQ

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.028Ω

Channel Mode

P

Maximum Power Dissipation Pd

136W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

95nC

Forward Voltage Vf

-1.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.22mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

6.73mm

Height

2.38mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
GB
The Vishay P-Channel MOSFET delivers exceptional performance with a maximum drain-source voltage of 80 V and a temperature rating of 175 °C. This component designed to enhance efficiency in automotive applications.

Halogen-free according to IEC 61249-2-21

AEC-Q101 Qualified for automotive reliability

Maximum continuous drain current of 48 A, peaking at 190 A

Optimised RDS(on) of 0.028 Ohm at VGS = -10 V

Compliant with RoHS Directive 2002/95/EC

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง