Vishay SQ P-Channel MOSFET, -1.7 A, -60 V P, 3-Pin SOT-23 SQ2309CES-T1_NE3
- RS Stock No.:
- 878-890
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ2309CES-T1_NE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น, ในเทปขนาด 1)*
THB14.75
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB15.78
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 24 | THB14.75 |
| 25 - 99 | THB14.01 |
| 100 - 499 | THB12.61 |
| 500 + | THB10.72 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 878-890
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ2309CES-T1_NE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -1.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -60V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | SQ | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.335Ω | |
| Channel Mode | P | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 3.04mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 2.64mm | |
| Height | 1.12mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type P-Channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -1.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -60V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series SQ | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.335Ω | ||
Channel Mode P | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 3.04mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 2.64mm | ||
Height 1.12mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- GB
The Vishay Automotive P-Channel MOSFET designed for efficient power management in automotive applications. With its robust construction and high reliability, it ensures optimal performance under extreme conditions.
AEC-Q101 qualified for automotive applications
TrenchFET technology maximises efficiency and reduces power loss
Low on-state resistance ensures minimal heat generation
Wide temperature range supports various operational environments
100% R and UIS tested for enhanced reliability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQ P-Channel MOSFET -60 V P, 3-Pin SOT-23 SQ2361CEES-T1_NE3
- Vishay SQ Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2309CES-T1_GE3
- Vishay SQ P-Channel MOSFET -60 V P, 3-Pin TO-252 SQD19P06-60L_NE3
- Vishay SQ P-Channel MOSFET -80 V P, 3-Pin TO-252 SQD50P08-28_NE3
- Vishay SQ P-Channel MOSFET -100 V P, 3-Pin TO-252 SQD40P10-40L_NE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2309ES-T1_GE3
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 ISP75DP06LMXTSA1
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
