Vishay SQ P-Channel MOSFET, -20 A, -60 V P, 3-Pin TO-252 SQD19P06-60L_NE3
- RS Stock No.:
- 878-892
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQD19P06-60L_NE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB58.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB62.54
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB58.45 |
| 10 - 24 | THB38.02 |
| 25 - 99 | THB22.34 |
| 100 - 499 | THB21.86 |
| 500 + | THB21.38 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 878-892
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQD19P06-60L_NE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -60V | |
| Series | SQ | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.1Ω | |
| Channel Mode | P | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 46W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | -1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 6.73mm | |
| Length | 6.22mm | |
| Height | 2.38mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -60V | ||
Series SQ | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.1Ω | ||
Channel Mode P | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 46W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf -1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 6.73mm | ||
Length 6.22mm | ||
Height 2.38mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- GB
The Vishay automotive Advanced P-Channel MOSFET designed for high performance in automotive applications, offering reliability and efficiency under extreme conditions.
Halogen-free and compliant with RoHS Directive 2002/95/EC
AEC-Q101 qualified for enhanced automotive reliability
Drain-Source Breakdown Voltage of -60 V for robust operation
Maximum continuous drain current of 20 A ensures effective power handling
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQ P-Channel MOSFET -80 V P, 3-Pin TO-252 SQD50P08-28_NE3
- Vishay SQ P-Channel MOSFET -100 V P, 3-Pin TO-252 SQD40P10-40L_NE3
- Vishay SQ P-Channel MOSFET -60 V P, 3-Pin SOT-23 SQ2309CES-T1_NE3
- Vishay SQ P-Channel MOSFET -60 V P, 3-Pin SOT-23 SQ2361CEES-T1_NE3
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD19P06-60L_GE3
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD45P03-12_GE3
- Vishay SQ P-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement Mode, 6-Pin TSOP-6 SQ3457CEV-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3419EV-T1_GE3
