Vishay SQ3426CEEV Type N-Channel Single MOSFETs, 7 A, 60 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6

RS Stock No.:: 653-062
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQ3426CEEV-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SQ3426CEEV Type N-Channel Single MOSFETs, 7 A, 60 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB15.15

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB16.21

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,727 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน	ต่อม้วน
1 - 24	THB15.15
25 - 99	THB13.47
100 - 499	THB12.35
500 - 999	THB10.10
1000 +	THB9.55

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 653-062
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQ3426CEEV-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	Single MOSFETs
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TSOP-6
	Series	SQ3426CEEV
	Mount Type	PCB
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.042Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	5W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	19.5nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	1.1mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	3.10mm
	Width	2.98mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type Single MOSFETs
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TSOP-6
	Series SQ3426CEEV
	Mount Type PCB
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.042Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 5W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19.5nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 1.1mm
	Standards/Approvals RoHS
	Length 3.10mm
	Width 2.98mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Vishay SQ3426CEEV Series Single MOSFETs, 60V Drain Source Voltage, 7A Continuous Drain Current - SQ3426CEEV-T1_GE3

This single MOSFET device is an N‑channel enhancement transistor designed for power switching on PCB assemblies. It operates across a wide temperature range for demanding environments and conforms to RoHS and automotive stress requirements, making it suitable for industrial and vehicle electronics where controlled conduction and switching are required.

Features and Benefits:

• 60V drain rating enables medium‑voltage switching applications
• 7A continuous drain current supports substantial load currents
• 0.042 Ω low Rds(on) minimises conduction losses
• 19.5 nC gate charge permits predictable switching profiles
• 5W power dissipation allows moderate thermal loading
• 20V gate‑limit protects against excessive drive voltages

Applications

• Suitable for automotive power distribution modules
• Ideal for motor driver stages in control systems
• Used with DC-DC converter outputs for regulation
• Can be used for load switching in industrial electronics
• Suitable for power management on PCB‑mounted assemblies

What package type should designers plan for on the PCB?

The component arrives in a TSOP‑6 surface‑mount package requiring a six‑pin footprint and appropriate copper for thermal dissipation.

How does the device handle extreme temperatures in field use?

It is rated from -55 °C to 175 °C, supporting operation in both cold‑start and high‑temperature environments without derating the specified operating thresholds.

What electrical constraint must be observed at the gate?

The gate‑to‑source voltage must not exceed 20V to avoid overstress and potential device damage.

How does forward voltage affect switching performance?

The forward voltage of 1.2V influences conduction drop during on‑state transitions and should be factored into loss and thermal calculations.