STMicroelectronics STWA60N0 N-Channel Power MOSFET, 62 A, 600 V N, 3-Pin TO-247 STWA60N035M9
- RS Stock No.:
- 762-554
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STWA60N035M9
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB288.44
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB308.63
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB288.44 |
| 10 - 49 | THB279.89 |
| 50 - 99 | THB271.31 |
| 100 + | THB233.47 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 762-554
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STWA60N035M9
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 62A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | STWA60N0 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 35mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 112nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 321W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 5.1mm | |
| Width | 15.9mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Length | 21.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 62A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series STWA60N0 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 35mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 112nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 321W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 5.1mm | ||
Width 15.9mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Length 21.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics N Channel Super Junction Power MOSFET is a high efficiency power device built on Advanced MDmesh M9 super junction technology. It is designed for medium to high voltage applications where low conduction losses and fast switching are critical.
Very low FOM
Higher dv/dt capability
Excellent switching performance
100% avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolSiC N-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IMW40R011M2HXKSA1
- STMicroelectronics N Channel Mosfet STH4N150 N-Channel Power MOSFET 1500 V MOSFET, 3-Pin H2PAK-2 STH4N150-2AG
- Infineon CoolSiC N-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IMW40R015M2HXKSA1
- Infineon CoolSiC N-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IMW40R025M2HXKSA1
- STMicroelectronics ST8L65N0 N-Channel Power MOSFET 650 V N, 5-Pin PowerFlat HV ST8L65N050DM9
- STMicroelectronics ST8L65N0 N-Channel Power MOSFET 650 V N, 5-Pin PowerFlat HV ST8L65N065DM9
- STMicroelectronics Enhancement Mode STL N-Channel Power MOSFET 80 V N, 8-Pin PowerFLAT STL180N8F8
- STMicroelectronics Enhancement Mode STL N-Channel Power MOSFET 80 V N, 8-Pin PowerFLAT STL110N8F8
