STMicroelectronics STWA60N0 N channel-Channel Power MOSFET, 62 A, 600 V N, 3-Pin TO-247 STWA60N035M9
- RS Stock No.:
- 762-554
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STWA60N035M9
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB211.19
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB225.97
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB211.19 |
| 10 - 49 | THB204.92 |
| 50 - 99 | THB198.64 |
| 100 + | THB170.94 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 762-554
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STWA60N035M9
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 62A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | STWA60N0 | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 35mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 321W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 112nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 15.9 mm | |
| Height | 5.1mm | |
| Length | 21.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 62A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series STWA60N0 | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 35mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Power Dissipation Pd 321W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 112nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 15.9 mm | ||
Height 5.1mm | ||
Length 21.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics N Channel Super Junction Power MOSFET is a high efficiency power device built on Advanced MDmesh M9 super junction technology. It is designed for medium to high voltage applications where low conduction losses and fast switching are critical.
Very low FOM
Higher dv/dt capability
Excellent switching performance
100% avalanche tested